창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4824NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTTFS4824N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.3A(Ta), 69A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(11.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2363pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 660mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTTFS4824NTAG-ND NTTFS4824NTAGOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4824NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS48, NTTFS4824NTAG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R1BXXAP | 1.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1BXXAP.pdf | |
![]() | NOJC686M004RWJ | 68µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 500 mOhm ESR | NOJC686M004RWJ.pdf | |
![]() | RSF200JB-73-750R | RES 750 OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-750R.pdf | |
![]() | L3000J(Code)E | L3000J(Code)E ORIGINAL SMD or Through Hole | L3000J(Code)E.pdf | |
![]() | FMS2016-001SQ | FMS2016-001SQ RFMD SMD or Through Hole | FMS2016-001SQ.pdf | |
![]() | B39861-B4232-H410 | B39861-B4232-H410 EPCOS SMD or Through Hole | B39861-B4232-H410.pdf | |
![]() | DTD123YG SOT-323 T/R | DTD123YG SOT-323 T/R UTC SMD or Through Hole | DTD123YG SOT-323 T/R.pdf | |
![]() | AD1866JR | AD1866JR AD SOIC | AD1866JR.pdf | |
![]() | HT1086-18 | HT1086-18 HOLTEK SOT223 | HT1086-18.pdf | |
![]() | PZ2012U121-2R5TF | PZ2012U121-2R5TF Sunlord SMD or Through Hole | PZ2012U121-2R5TF.pdf | |
![]() | 7BB-41-2 | 7BB-41-2 MUR SMD or Through Hole | 7BB-41-2.pdf |