창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR4503NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR4503N | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 26/May/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 420mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR4503NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR4503NT1G | |
관련 링크 | NTR450, NTR4503NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
MALSECV00AF322CARK | 220µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.45 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | MALSECV00AF322CARK.pdf | ||
B43508D2827M | 820µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 140 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508D2827M.pdf | ||
Y144220K8000T0L | RES 20.8K OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y144220K8000T0L.pdf | ||
NXRT15WF104FA1B030 | NTC Thermistor 100k Bead | NXRT15WF104FA1B030.pdf | ||
MBRB2040 | MBRB2040 ON TO-263 | MBRB2040.pdf | ||
M80-9130099 | M80-9130099 HARWIN SMD or Through Hole | M80-9130099.pdf | ||
AME8550AEEVC190Z | AME8550AEEVC190Z AME SOT-25 | AME8550AEEVC190Z.pdf | ||
HBV-I | HBV-I COOPER SMD or Through Hole | HBV-I.pdf | ||
RT2129 | RT2129 RT SOP-8 | RT2129.pdf | ||
MMBZ5344BLT1G | MMBZ5344BLT1G LRC SOT-23 | MMBZ5344BLT1G.pdf | ||
K4D263238G-VC2A1 | K4D263238G-VC2A1 SAMSUNG BGA | K4D263238G-VC2A1.pdf | ||
M29F200BB90N6 | M29F200BB90N6 ST TSOP48 | M29F200BB90N6.pdf |