창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTR4503NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTR4503N | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 26/May/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 24V | |
전력 - 최대 | 420mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NTR4503NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTR4503NT1G | |
관련 링크 | NTR450, NTR4503NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GL045F33CET | 4.5MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL045F33CET.pdf | ||
RT1210CRE0760K4L | RES SMD 60.4KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0760K4L.pdf | ||
SQ3225100KL | SQ3225100KL ABC SMD or Through Hole | SQ3225100KL.pdf | ||
MSP3405GB8V3 | MSP3405GB8V3 MICRONAS QFP | MSP3405GB8V3.pdf | ||
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6DI50MB-050 | 6DI50MB-050 FUJI SMD or Through Hole | 6DI50MB-050.pdf | ||
75543-014 | 75543-014 FCI con | 75543-014.pdf | ||
RLZ TE-11 2.2B | RLZ TE-11 2.2B ROHM LL34 | RLZ TE-11 2.2B.pdf | ||
1206-DZ-J | 1206-DZ-J ORIGINAL 1206-DZ-J | 1206-DZ-J.pdf | ||
BKME800ETD100MHB5D | BKME800ETD100MHB5D Chemi-con NA | BKME800ETD100MHB5D.pdf | ||
KM4270IC8TR | KM4270IC8TR FSC SOP8 | KM4270IC8TR.pdf |