ON Semiconductor NTR1P02LT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTR1P02LT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NTR1P02LT1G 가격 및 조달
가능 수량
35550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 70.27020
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NTR1P02LT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NTR1P02LT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NTR1P02LT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NTR1P02LT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTR1P02LT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTR1P02LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTR1P02L, NVTR01P02L | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 26/May/2009 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 750mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.25V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 225pF @ 5V | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NTR1P02LT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTR1P02LT1G | |
| 관련 링크 | NTR1P0, NTR1P02LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
NTR1P02LT1G 의 관련 제품
 | UPW1V100MDD | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW1V100MDD.pdf | |
 | VJ0805D3R6DLAAJ | 3.6pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R6DLAAJ.pdf | |
 | 505MABA01KJM | 5µF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.673" L x 1.102" W (42.50mm x 28.00mm) | 505MABA01KJM.pdf | |
 | 170M4189 | FUSE SQ 200A 1.3KVAC RECTANGULAR | 170M4189.pdf | |
 | 445W32B27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32B27M00000.pdf | |
.jpg) | ASG2-P-V-B-320.000MHZ | 320MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 65mA Enable/Disable | ASG2-P-V-B-320.000MHZ.pdf | |
| YCR94003A | YCR94003A NO SMD-28 | YCR94003A.pdf | |
| BCB3318IR-840-Q-N | BCB3318IR-840-Q-N CHILISIN SMD or Through Hole | BCB3318IR-840-Q-N.pdf | |
| LT16221IS8#TR | LT16221IS8#TR LINEAR SMD or Through Hole | LT16221IS8#TR.pdf | |
| SDP1002 | SDP1002 SAMSUNG BGA | SDP1002.pdf | |
| STUB013 | STUB013 EIC SMA DO-214AC | STUB013.pdf |