ON Semiconductor NTP8G202NG
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- NTP8G202NG
- 제조업 자
- ON Semiconductor
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- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220
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NTP8G202NG 가격 및 조달
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8560 조각
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NTP8G202NG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTP8G202NG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTP8G202N | |
| 비디오 파일 | GaN Transistors (Gallium Nitride) | |
| 주요제품 | Compact Power Solutions | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | GaNFET(질화 갈륨) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 350m옴 @ 5.5A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 65W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | NTP8G202NGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTP8G202NG | |
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