창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5H400NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5H400NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Ta), 330A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | * | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7700pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 3.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5H400NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5H40, NTMFS5H400NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UPM1V391MPD1TD | 390µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM1V391MPD1TD.pdf | ||
![]() | VJ1812A680JBCAT4X | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A680JBCAT4X.pdf | |
![]() | CSTCR6M00G53Z-R0 | 6MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 15pF ±0.2% 50 Ohm -40°C ~ 125°C Surface Mount | CSTCR6M00G53Z-R0.pdf | |
![]() | ERJ-8BWJR047V | RES SMD 0.047 OHM 5% 1W 1206 | ERJ-8BWJR047V.pdf | |
![]() | CR0402-FX-44R2GLF | RES SMD 44.2 OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-44R2GLF.pdf | |
![]() | B88069X0920T502 | B88069X0920T502 EPCOS na | B88069X0920T502.pdf | |
![]() | ICS502N | ICS502N ICS SOP8 | ICS502N.pdf | |
![]() | TE28F800CVT-90 | TE28F800CVT-90 INTEL TSOP | TE28F800CVT-90.pdf | |
![]() | T224162B-28S | T224162B-28S TMTECH TSOP40 | T224162B-28S.pdf | |
![]() | CDRH4D28CNP-6R3NC | CDRH4D28CNP-6R3NC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH4D28CNP-6R3NC.pdf | |
![]() | BTS6142DV | BTS6142DV infneon to-252-5 | BTS6142DV.pdf |