창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C646NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C646NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 93A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2164pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C646NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C64, NTMFS5C646NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 4P143F35CDT | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P143F35CDT.pdf | |
![]() | 4379R-122JS | 1.2µH Shielded Inductor 650mA 90 mOhm Max 2-SMD | 4379R-122JS.pdf | |
![]() | AA1210JR-0762RL | RES SMD 62 OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-0762RL.pdf | |
![]() | GZT-SH-112DM | GZT-SH-112DM GOODSKY DIP-SOP | GZT-SH-112DM.pdf | |
![]() | CL331-0421-1 | CL331-0421-1 HRS SMD or Through Hole | CL331-0421-1.pdf | |
![]() | NJM5532M. | NJM5532M. JRC SMD or Through Hole | NJM5532M..pdf | |
![]() | STI551BBVC | STI551BBVC ST N A | STI551BBVC.pdf | |
![]() | CM320202DE | CM320202DE CMD SMD or Through Hole | CM320202DE.pdf | |
![]() | SB2206102KL | SB2206102KL ABC SMD or Through Hole | SB2206102KL.pdf | |
![]() | MCP3304 | MCP3304 MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP3304.pdf | |
![]() | SC671BYB | SC671BYB IMI SSOP-48 | SC671BYB.pdf | |
![]() | LQP10A10NG00T1M | LQP10A10NG00T1M muRata SMD or Through Hole | LQP10A10NG00T1M.pdf |