창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C646NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C646NL | |
| PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 93A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2164pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C646NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C64, NTMFS5C646NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B2X8R1H221K050BA | 220pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X8R1H221K050BA.pdf | |
![]() | MMBZ27VDA-HE3-18 | DIODE ZENER 40W 1MA 27V SOT23 | MMBZ27VDA-HE3-18.pdf | |
![]() | SQC322520LT-R15M-N | SQC322520LT-R15M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQC322520LT-R15M-N.pdf | |
![]() | EMIC18F104 | EMIC18F104 SAMSUNG SMD or Through Hole | EMIC18F104.pdf | |
![]() | KS88C0504-87 | KS88C0504-87 SEC DIP-40 | KS88C0504-87.pdf | |
![]() | D65949S1140 | D65949S1140 NEC BGA | D65949S1140.pdf | |
![]() | XN1003T | XN1003T GENNUM QFN | XN1003T.pdf | |
![]() | 2SB596T1B | 2SB596T1B NEC SOT-23 | 2SB596T1B.pdf | |
![]() | 293D157X9010D2W | 293D157X9010D2W VISHAY SMD or Through Hole | 293D157X9010D2W.pdf | |
![]() | PIC18F87J10 | PIC18F87J10 MICROCHIP QFP | PIC18F87J10.pdf | |
![]() | 2731-20 | 2731-20 Microsemi SMD or Through Hole | 2731-20.pdf | |
![]() | NJC3283A | NJC3283A NDK 9X11 | NJC3283A.pdf |