창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C456NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C456NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C456NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C45, NTMFS5C456NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 445I32D14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32D14M31818.pdf | |
![]() | RT2010FKE07390RL | RES SMD 390 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE07390RL.pdf | |
![]() | CD5EC620J03 | CD5EC620J03 CDE SMD or Through Hole | CD5EC620J03.pdf | |
![]() | HM62256BLFI8T | HM62256BLFI8T HITACHI SOP | HM62256BLFI8T.pdf | |
![]() | ANA6602 | ANA6602 SOP ANA | ANA6602.pdf | |
![]() | PRF19085L | PRF19085L MOTOROLA SMD | PRF19085L.pdf | |
![]() | SC1112AS.TR | SC1112AS.TR SEMTECH SMD or Through Hole | SC1112AS.TR.pdf | |
![]() | GRM39C0G020C050AD | GRM39C0G020C050AD MURATA SMD or Through Hole | GRM39C0G020C050AD.pdf | |
![]() | MN62601 | MN62601 ORIGINAL DIP8 | MN62601.pdf | |
![]() | TS3L100DT | TS3L100DT ORIGINAL SMD or Through Hole | TS3L100DT.pdf | |
![]() | SBR755 | SBR755 IR QFN | SBR755.pdf |