창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C430NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS5C430NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS5C430NLT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS5C43, NTMFS5C430NLT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CSTLS50M0X51-B0 | 50MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 5pF ±0.2% 40 Ohm -20°C ~ 80°C Through Hole | CSTLS50M0X51-B0.pdf | |
![]() | APTM60A11FT1G | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | APTM60A11FT1G.pdf | |
![]() | 4606X-104-302/622L | RES NETWORK 8 RES MULT OHM 6SIP | 4606X-104-302/622L.pdf | |
![]() | WB4500BO | WB4500BO INTEL BGA | WB4500BO.pdf | |
![]() | MSM7582B | MSM7582B OKI SSOP | MSM7582B.pdf | |
![]() | STK650-413 | STK650-413 SANYO SMD | STK650-413.pdf | |
![]() | RSX501L-20 TE-25 | RSX501L-20 TE-25 ROHM DO-214AC | RSX501L-20 TE-25.pdf | |
![]() | LH5116HN-10T | LH5116HN-10T ORIGINAL SOP | LH5116HN-10T.pdf | |
![]() | U20JV0001 | U20JV0001 ORIGINAL QFP | U20JV0001.pdf | |
![]() | AM29F010A-120 | AM29F010A-120 AMD PLCC32 | AM29F010A-120.pdf | |
![]() | D107K16V | D107K16V AVX SMD | D107K16V.pdf | |
![]() | M68TB05C9P40 | M68TB05C9P40 MOT SMD or Through Hole | M68TB05C9P40.pdf |