창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H01NFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4H01NF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Ta), 334A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5538pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4H01NFT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4H0, NTMFS4H01NFT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 04025A1R5CAT2A | 1.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A1R5CAT2A.pdf | |
![]() | 416F25013ATR | 25MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013ATR.pdf | |
![]() | RC14KB68K0 | RES 68K OHM 1/4W 10% AXIAL | RC14KB68K0.pdf | |
![]() | CMF60750R00FHEB70 | RES 750 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60750R00FHEB70.pdf | |
![]() | E52-CA50B-3.2 | TEMPERATURE SENSOR | E52-CA50B-3.2.pdf | |
![]() | 2SC4116-GR(T5LFH-9 | 2SC4116-GR(T5LFH-9 Toshiba SOP DIP | 2SC4116-GR(T5LFH-9.pdf | |
![]() | S-8491CUP | S-8491CUP SEIKO SOT23 | S-8491CUP.pdf | |
![]() | NJM78L15UA-TE2 | NJM78L15UA-TE2 JRC SOT-89 | NJM78L15UA-TE2.pdf | |
![]() | CS98200-CMZ | CS98200-CMZ CIRRUS QFP | CS98200-CMZ.pdf | |
![]() | 20H150CT | 20H150CT MBP TO-220 | 20H150CT.pdf | |
![]() | C51-A2 | C51-A2 nVIDIA BGA | C51-A2.pdf | |
![]() | 5H0380F | 5H0380F FSC DIP | 5H0380F.pdf |