창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C58NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C58NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C58NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DSC1121NL1-025.0000T | 25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121NL1-025.0000T.pdf | |
![]() | SBRT4U60LP-7 | DIODE SBR 60V 4A U-DFN3030-8 | SBRT4U60LP-7.pdf | |
![]() | HF1008-390M | 39nH Unshielded Inductor 870mA 160 mOhm Max Nonstandard | HF1008-390M.pdf | |
![]() | CRCW12069R76FKTA | RES SMD 9.76 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12069R76FKTA.pdf | |
![]() | LFE9305-R | LFE9305-R DELTA SMD or Through Hole | LFE9305-R.pdf | |
![]() | GT216-665-A3/N11P-GV1-A3 | GT216-665-A3/N11P-GV1-A3 NVIDIA BGA | GT216-665-A3/N11P-GV1-A3.pdf | |
![]() | RJF-16V471MG4-T2 | RJF-16V471MG4-T2 ORIGINAL SMD or Through Hole | RJF-16V471MG4-T2.pdf | |
![]() | S-L2985B28-H4J1 | S-L2985B28-H4J1 ORIGINAL SMD or Through Hole | S-L2985B28-H4J1.pdf | |
![]() | LTC4442EMS8E-1#TRPBF | LTC4442EMS8E-1#TRPBF LT MSOP8 | LTC4442EMS8E-1#TRPBF.pdf | |
![]() | TC4028BP(N,F) | TC4028BP(N,F) Toshiba DIP-16 | TC4028BP(N,F).pdf | |
![]() | 1812-9.76K | 1812-9.76K ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-9.76K.pdf | |
![]() | TC5W558FU | TC5W558FU TOSHIBA SMD or Through Hole | TC5W558FU.pdf |