창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C58NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C58NT3G | |
관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C58NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | HSCDRRN005PD2A3 | Pressure Sensor ±5 PSI (±34.47 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN005PD2A3.pdf | |
![]() | 5HF2-R | 5HF2-R BEL SMD or Through Hole | 5HF2-R.pdf | |
![]() | T2525N356H-DDW | T2525N356H-DDW AT SMD or Through Hole | T2525N356H-DDW.pdf | |
![]() | 47UF-20V-ECASE-20%-TAJE476M020RNJ | 47UF-20V-ECASE-20%-TAJE476M020RNJ AVX SMD or Through Hole | 47UF-20V-ECASE-20%-TAJE476M020RNJ.pdf | |
![]() | KM44C4000CS-L6 | KM44C4000CS-L6 SAMSUNG TSOP | KM44C4000CS-L6.pdf | |
![]() | K4S28163LD-RG1L | K4S28163LD-RG1L Samsung SMD or Through Hole | K4S28163LD-RG1L.pdf | |
![]() | 1SS337(TE85L.F) | 1SS337(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS337(TE85L.F).pdf | |
![]() | FG4000EX-50DA | FG4000EX-50DA MITSUBISHI MODULE | FG4000EX-50DA.pdf |