창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C58NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C58NT1G | |
관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C58NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C3216X7R1V475K160AE | 4.7µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R1V475K160AE.pdf | |
![]() | HMC444LP4 | RF IC Frequency Multiplier Radar 9.9GHz ~ 11.2GHz 24-SMT (4x4) | HMC444LP4.pdf | |
![]() | P51-2000-S-R-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-R-I36-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | ATTINY13A-SU(ATTINY13V-10SU) | ATTINY13A-SU(ATTINY13V-10SU) ATMEL SOP | ATTINY13A-SU(ATTINY13V-10SU).pdf | |
![]() | 550C282T350CC2B | 550C282T350CC2B CDE DIP | 550C282T350CC2B.pdf | |
![]() | EL2450 | EL2450 EL DIP | EL2450.pdf | |
![]() | MHF3793 | MHF3793 FIL CDIP | MHF3793.pdf | |
![]() | BAR74E6327 | BAR74E6327 INFINEON SMD or Through Hole | BAR74E6327.pdf | |
![]() | 80R-JASKS-GWAN-TF(LF)(SN) | 80R-JASKS-GWAN-TF(LF)(SN) JST SMD-connectors | 80R-JASKS-GWAN-TF(LF)(SN).pdf | |
![]() | DG536DW | DG536DW DG PLCC | DG536DW.pdf | |
![]() | EKMH181VQT272MB50T | EKMH181VQT272MB50T NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH181VQT272MB50T.pdf | |
![]() | BZX79-85V1+133 | BZX79-85V1+133 NXP SMD or Through Hole | BZX79-85V1+133.pdf |