창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C55NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C55N | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.9A(Ta), 78A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 770mW | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C55NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C55NT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG1005P-8250-W-T5 | RES SMD 825 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005P-8250-W-T5.pdf | |
![]() | Y1630800R000T0R | RES SMD 800 OHM 0.01% 1/4W 1206 | Y1630800R000T0R.pdf | |
![]() | AF164-FR-07140KL | RES ARRAY 4 RES 140K OHM 1206 | AF164-FR-07140KL.pdf | |
![]() | 41F2K5E | RES 2.5K OHM 1W 1% AXIAL | 41F2K5E.pdf | |
![]() | M6MGT657R40MT | M6MGT657R40MT MIT TSSOP52 | M6MGT657R40MT.pdf | |
![]() | UPD784225YGC-138-8BT | UPD784225YGC-138-8BT NEC TQFP | UPD784225YGC-138-8BT.pdf | |
![]() | 747LVT573DB | 747LVT573DB ORIGINAL TSSOP | 747LVT573DB.pdf | |
![]() | XC6383D451MR | XC6383D451MR XC SMD or Through Hole | XC6383D451MR.pdf | |
![]() | LR251201R050F | LR251201R050F IR LRC-LR2512LF-01-R050-F | LR251201R050F.pdf | |
![]() | EKMH351VSN122MA80T | EKMH351VSN122MA80T ORIGINAL DIP | EKMH351VSN122MA80T.pdf | |
![]() | UAA3587EHN/C2.518 | UAA3587EHN/C2.518 NXP SMD or Through Hole | UAA3587EHN/C2.518.pdf |