창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C50NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C50NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C50NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | APTM20UM03FAG | MOSFET N-CH 200V 580A SP6 | APTM20UM03FAG.pdf | |
![]() | 7-1415541-1 | PT570LE8 | 7-1415541-1.pdf | |
![]() | H421R5BDA | RES 21.5 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H421R5BDA.pdf | |
![]() | JQ1PB24VF | JQ1PB24VF PAN BOX | JQ1PB24VF.pdf | |
![]() | K8D3216UTC-TI07T00 | K8D3216UTC-TI07T00 SAMSUNG BGA48 | K8D3216UTC-TI07T00.pdf | |
![]() | LC6543C-3511E | LC6543C-3511E SANYO DIP-30 | LC6543C-3511E.pdf | |
![]() | CM0805BCNPO9BN100 | CM0805BCNPO9BN100 ORIGINAL SMD or Through Hole | CM0805BCNPO9BN100.pdf | |
![]() | XCV600E.BG432AGT-6C | XCV600E.BG432AGT-6C ORIGINAL SMD or Through Hole | XCV600E.BG432AGT-6C.pdf | |
![]() | 74HC257C | 74HC257C NEC DIP | 74HC257C.pdf | |
![]() | XF0013SIPGR2 | XF0013SIPGR2 XFMRS SOP | XF0013SIPGR2.pdf | |
![]() | WINSVRSTD2003R2TELCOP1 | WINSVRSTD2003R2TELCOP1 Microsoft SMD or Through Hole | WINSVRSTD2003R2TELCOP1.pdf | |
![]() | MABACT00117 | MABACT00117 ORIGINAL SMD | MABACT00117.pdf |