창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C13NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4C13N | |
PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Site Chg 18/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta), 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 750mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4C13NT1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C13NT1G | |
관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C13NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
AM16000006 | 16MHz ±30ppm 수정 12pF -40°C ~ 125°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM16000006.pdf | ||
RN73C2A14RBTDF | RES SMD 14 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A14RBTDF.pdf | ||
CRCW040256R2FKEE | RES SMD 56.2 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040256R2FKEE.pdf | ||
CW0051R200JE12HS | RES 1.2 OHM 6.5W 5% AXIAL | CW0051R200JE12HS.pdf | ||
UPG130GR | UPG130GR NEC SOP | UPG130GR.pdf | ||
79021900 (SSOP) | 79021900 (SSOP) AMIS SSOP16 | 79021900 (SSOP).pdf | ||
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IXFT50N20G | IXFT50N20G IXYS TO-268D3PAK | IXFT50N20G.pdf | ||
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HDC300LBk | HDC300LBk HLB SMD or Through Hole | HDC300LBk.pdf |