창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C05NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4C05N | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 Wafer Fab Site Addition 18/Jun/2015 Site Chg 18/Dec/2015 Assembly/Test Site Add 21/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.9A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 770mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS4C05NT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C05NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C05NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0215002.MXK22SPP | FUSE CERAMIC 2A 250VAC 5X20MM | 0215002.MXK22SPP.pdf | |
![]() | DR0608-824L | DR0608-824L Coilcraft NA | DR0608-824L.pdf | |
![]() | AL-5W-K | AL-5W-K fujitsu SMD or Through Hole | AL-5W-K.pdf | |
![]() | LT3009ESC8#TRPBF | LT3009ESC8#TRPBF LT SOT-23 | LT3009ESC8#TRPBF.pdf | |
![]() | SML-512BC5TT86 | SML-512BC5TT86 ROHM SMD | SML-512BC5TT86.pdf | |
![]() | FLF3215T-1R0N | FLF3215T-1R0N TDK 1210 | FLF3215T-1R0N.pdf | |
![]() | LE58QL061BTC | LE58QL061BTC LEGERITY QFP | LE58QL061BTC.pdf | |
![]() | RH5VT35C | RH5VT35C ICRESETRICHO SMD or Through Hole | RH5VT35C.pdf | |
![]() | MINI51ZAN | MINI51ZAN NUVOTON QFN33 | MINI51ZAN.pdf | |
![]() | 54F50DMQB | 54F50DMQB NS CDIP | 54F50DMQB.pdf | |
![]() | LS2D4K | LS2D4K ORIGINAL SMD or Through Hole | LS2D4K.pdf |