ON Semiconductor NTMFS4937NCT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTMFS4937NCT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NTMFS4937NCT1G 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 403.27400
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NTMFS4937NCT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NTMFS4937NCT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NTMFS4937NCT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NTMFS4937NCT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMFS4937NCT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4937NCT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2516pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 920mW | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4937NCT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS493, NTMFS4937NCT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
NTMFS4937NCT1G 의 관련 제품
 | F152K33Y5RL6UJ5R | 1500pF 500V 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.335" Dia(8.50mm) | F152K33Y5RL6UJ5R.pdf | |
| BFC247076474 | 0.47µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | BFC247076474.pdf | |
 | 416F27012CDR | 27MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27012CDR.pdf | |
 | 744786012A | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 50 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 744786012A.pdf | |
 | TYS6028680M-10 | 68µH Shielded Inductor 860mA 360 mOhm Nonstandard | TYS6028680M-10.pdf | |
| CW010R3900JE123 | RES 0.39 OHM 13W 5% AXIAL | CW010R3900JE123.pdf | |
| PSD934F2-90MI | PSD934F2-90MI ST QFP | PSD934F2-90MI.pdf | |
| AM29LV010B-90JC | AM29LV010B-90JC AMD SMD or Through Hole | AM29LV010B-90JC.pdf | |
| S4E-L2-5V() | S4E-L2-5V() NAIS/ SMD or Through Hole | S4E-L2-5V().pdf | |
| MR27V1602F-IEN | MR27V1602F-IEN OKI TSOP | MR27V1602F-IEN.pdf | |
| MSM6688G3-2K | MSM6688G3-2K OKI QFP | MSM6688G3-2K.pdf | |
| VT1196SF | VT1196SF VOLTERRA QFN | VT1196SF.pdf |