창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4931NT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4931N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Ta), 246A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9821pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 950mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4931NT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4931NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | BFC233990041 | 0.012µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC233990041.pdf | |
![]() | SIT8209AC-22-33E-155.520000Y | OSC XO 3.3V 155.52MHZ OE | SIT8209AC-22-33E-155.520000Y.pdf | |
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![]() | YC164-FR-071R8L | RES ARRAY 4 RES 1.8 OHM 1206 | YC164-FR-071R8L.pdf | |
![]() | MM7C073N | MM7C073N NS DIP | MM7C073N.pdf | |
![]() | K4E170412C-JC60 | K4E170412C-JC60 SAMSUNG SOJ | K4E170412C-JC60.pdf | |
![]() | MTC20455-DQ-I1 | MTC20455-DQ-I1 STM QFP | MTC20455-DQ-I1.pdf | |
![]() | JS-6H2/121A2-A2 | JS-6H2/121A2-A2 ORIGINAL SMD or Through Hole | JS-6H2/121A2-A2.pdf | |
![]() | SD004 | SD004 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD004.pdf | |
![]() | XC3S1600E4FGG320C | XC3S1600E4FGG320C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC3S1600E4FGG320C.pdf | |
![]() | GMC21CG102J50NKE | GMC21CG102J50NKE CALCHIP SMD or Through Hole | GMC21CG102J50NKE.pdf |