창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4927NCT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4927N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Ta), 38A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 913pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 920mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4927NCT3G | |
관련 링크 | NTMFS492, NTMFS4927NCT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AI-12-33E-74.35000D | OSC XO 3.3V 74.35MHZ OE | SIT8008AI-12-33E-74.35000D.pdf | |
![]() | CMF6081K920BER6 | RES 81.92K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6081K920BER6.pdf | |
![]() | 122782-HMC566LP4E | EVAL BOARD FOR HMC566LP4E | 122782-HMC566LP4E.pdf | |
![]() | GAL20V8A-20LP | GAL20V8A-20LP LAT SMD or Through Hole | GAL20V8A-20LP.pdf | |
![]() | S-8241ABDMC-GBD-T2 | S-8241ABDMC-GBD-T2 SEIKO SOT23 | S-8241ABDMC-GBD-T2.pdf | |
![]() | FS88551D | FS88551D FORTUNE SOT-23 | FS88551D.pdf | |
![]() | AP9A128-20TC | AP9A128-20TC MEMORY SMD | AP9A128-20TC.pdf | |
![]() | FMD200FRF52E-715K | FMD200FRF52E-715K YAGEO Call | FMD200FRF52E-715K.pdf | |
![]() | ECW1102JB5 | ECW1102JB5 panasonic SMD or Through Hole | ECW1102JB5.pdf | |
![]() | FTZ6.8E T148 | FTZ6.8E T148 ROHM SOT-153 | FTZ6.8E T148.pdf | |
![]() | STM3210EPRIM-D | STM3210EPRIM-D STM Onlyoriginal | STM3210EPRIM-D.pdf | |
![]() | GL520SM-C15D19 | GL520SM-C15D19 ORIGINAL SOP | GL520SM-C15D19.pdf |