창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4927NCT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTMFS4927N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.9A(Ta), 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 913pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 920mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4927NCT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS492, NTMFS4927NCT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT5000AIC2E-18N0-40.000000T | OSC XO 1.8V 40MHZ NC | SIT5000AIC2E-18N0-40.000000T.pdf | |
![]() | SIT3808AI-C2-33EE-5.120000T | OSC XO 3.3V 5.12MHZ OE | SIT3808AI-C2-33EE-5.120000T.pdf | |
![]() | PAT0603E4020BST1 | RES SMD 402 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E4020BST1.pdf | |
![]() | TAH20P10R0JE | RES 10 OHM 20W 5% TO220 | TAH20P10R0JE.pdf | |
![]() | T492B684K035AS | T492B684K035AS KEMET B | T492B684K035AS.pdf | |
![]() | EKMG160EC3682MLN3S | EKMG160EC3682MLN3S CHEMICON CCH1390-A-P35 | EKMG160EC3682MLN3S.pdf | |
![]() | 1030J33310A | 1030J33310A OMC SMA | 1030J33310A.pdf | |
![]() | ADM810RAKS-REEL7 | ADM810RAKS-REEL7 AD SMD or Through Hole | ADM810RAKS-REEL7.pdf | |
![]() | 54F04DMQB/QS | 54F04DMQB/QS NSC CDIP | 54F04DMQB/QS.pdf | |
![]() | 592D477X96R3C2W20H | 592D477X96R3C2W20H Vishay SMD | 592D477X96R3C2W20H.pdf | |
![]() | HA12005P | HA12005P HITACHI DIP | HA12005P.pdf | |
![]() | F2MBO | F2MBO NO SMD or Through Hole | F2MBO.pdf |