창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4923NET1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFS4923NE | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 05/Apr/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.7A(Ta), 91A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4850pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 930mW | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4923NET1G-ND NTMFS4923NET1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4923NET1G | |
관련 링크 | NTMFS492, NTMFS4923NET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D361MXBAJ | 360pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D361MXBAJ.pdf | ||
PA4342.222NLT | 2.2µH Shielded Molded Inductor 12A 7 mOhm Max Nonstandard | PA4342.222NLT.pdf | ||
AA0805FR-07330KL | RES SMD 330K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-07330KL.pdf | ||
LDS8845-002-T2 | LED 드라이버 IC 4 출력 선형 PWM 조광 30mA 16-TQFN(3x3) | LDS8845-002-T2.pdf | ||
F5432DMQB | F5432DMQB FAI CDIP14 | F5432DMQB.pdf | ||
F54LS00 | F54LS00 NS CDIP | F54LS00.pdf | ||
HX2000 | HX2000 RFM SMD4 | HX2000.pdf | ||
MUN2117T1G | MUN2117T1G ON SOT-23 | MUN2117T1G.pdf | ||
6.3v12000 | 6.3v12000 ELNA SMD or Through Hole | 6.3v12000.pdf | ||
101374FT | 101374FT HITACHI SSOP30 | 101374FT.pdf | ||
TMX320C6747BZKBT3 | TMX320C6747BZKBT3 TexasInstruments SMD or Through Hole | TMX320C6747BZKBT3.pdf | ||
3782M | 3782M ORIGINAL DIP-8 | 3782M.pdf |