창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFD4C85NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTMFD4C85N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.4A, 29.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFD4C85NT1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTMFD4C85NT1G | |
관련 링크 | NTMFD4C, NTMFD4C85NT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GJM1555C1H5R4WB01D | 5.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H5R4WB01D.pdf | ||
520T20IA26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 2.8V 2.5mA | 520T20IA26M0000.pdf | ||
CXD303-105Q | CXD303-105Q SONY QFP | CXD303-105Q.pdf | ||
MN155402MD | MN155402MD PAN SOP28 | MN155402MD.pdf | ||
BL02RN1-R62-01 | BL02RN1-R62-01 MURATA SMD or Through Hole | BL02RN1-R62-01.pdf | ||
LM385PWE4-2-5 | LM385PWE4-2-5 TexasInstruments SMD or Through Hole | LM385PWE4-2-5.pdf | ||
KV1613LTL | KV1613LTL TOKOINC SOT-89-6 | KV1613LTL.pdf | ||
C0805A013-9-10-5926-1.45-5982-585 | C0805A013-9-10-5926-1.45-5982-585 ORIGINAL SMD or Through Hole | C0805A013-9-10-5926-1.45-5982-585.pdf | ||
AB30 | AB30 OKITA DIP4 | AB30.pdf | ||
A29F800UV-70 | A29F800UV-70 ORIGINAL SMD or Through Hole | A29F800UV-70.pdf | ||
U37 | U37 ORIGINAL 1206 | U37.pdf | ||
SC9932 | SC9932 SEMTECH SOP8 | SC9932.pdf |