창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLUS3A40PZTBG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTLUS3A40PZ | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Conversion 29/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | µCool™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 6.4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-UDFN(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTLUS3A40PZTBG | |
| 관련 링크 | NTLUS3A4, NTLUS3A40PZTBG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 406616151 | TELPOWER FUSE | 406616151.pdf | |
![]() | CP00106K200JE663 | RES 6.2K OHM 10W 5% AXIAL | CP00106K200JE663.pdf | |
![]() | SK3200B-L | SK3200B-L MCC SMC | SK3200B-L.pdf | |
![]() | MMBT5401LT1 2L | MMBT5401LT1 2L ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBT5401LT1 2L.pdf | |
![]() | PT8A973P PT | PT8A973P PT PT DIP-18 | PT8A973P PT.pdf | |
![]() | BTA24-600C/B | BTA24-600C/B ST TO-220 | BTA24-600C/B.pdf | |
![]() | 74ALVCH16244GRDR | 74ALVCH16244GRDR TI SMD or Through Hole | 74ALVCH16244GRDR.pdf | |
![]() | EPF6016AQC208-2/3 | EPF6016AQC208-2/3 ALTERA SMD or Through Hole | EPF6016AQC208-2/3.pdf | |
![]() | M383L2828ET1CB0/K4H510638E | M383L2828ET1CB0/K4H510638E SAM DIMM | M383L2828ET1CB0/K4H510638E.pdf | |
![]() | CY621268VLL-55ZI | CY621268VLL-55ZI CYPRESS QFP | CY621268VLL-55ZI.pdf | |
![]() | 25ZAV120M8x12 | 25ZAV120M8x12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25ZAV120M8x12.pdf | |
![]() | CBC2016T6R8M-T | CBC2016T6R8M-T TAIYO SMD | CBC2016T6R8M-T.pdf |