창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTLJS3A18PZTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTLJS3A18PZ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2240pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-WDFN(2x2) | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTLJS3A18PZTWG | |
관련 링크 | NTLJS3A1, NTLJS3A18PZTWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C0603T103K3RBLTU | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603T103K3RBLTU.pdf | |
![]() | 3404.2467.11 | UMK 250 FUSE WITH HOLDER 1.25A F | 3404.2467.11.pdf | |
![]() | EH28-2.0-02-11M | 11mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 162 mOhm (Typ) | EH28-2.0-02-11M.pdf | |
![]() | PTN1206E7682BST1 | RES SMD 76.8K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E7682BST1.pdf | |
![]() | MC68MH360CRC33K | MC68MH360CRC33K MOT GBL | MC68MH360CRC33K.pdf | |
![]() | R111N251B | R111N251B RICOH SOT-153 | R111N251B.pdf | |
![]() | 74LVC161DB | 74LVC161DB NXP SSOP-16 | 74LVC161DB.pdf | |
![]() | BQ25040 | BQ25040 TI SMD or Through Hole | BQ25040.pdf | |
![]() | MAX4278EPA | MAX4278EPA MAXIM DIP8 | MAX4278EPA.pdf | |
![]() | PT2536PNE | PT2536PNE PTC DIP | PT2536PNE.pdf | |
![]() | 194D336X0025E2T | 194D336X0025E2T VISHAY/SPRAGUE D | 194D336X0025E2T.pdf | |
![]() | RD1C109M1835M | RD1C109M1835M SAMWHA SMD or Through Hole | RD1C109M1835M.pdf |