창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTLGD3502NT2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTLGD3502N | |
| PCN 설계/사양 | Lead Finish/BOM Update 10/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A, 3.6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.3A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 480pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-VDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DFN(3x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTLGD3502NT2G | |
| 관련 링크 | NTLGD35, NTLGD3502NT2G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | HC-49/U-S19660800ABJB | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S19660800ABJB.pdf | |
![]() | BYM10-50HE3/96 | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | BYM10-50HE3/96.pdf | |
![]() | RG3216P-1021-B-T5 | RES SMD 1.02K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1021-B-T5.pdf | |
![]() | PLTT0805Z1042AGT5 | RES SMD 10.4KOHM 0.05% 1/4W 0805 | PLTT0805Z1042AGT5.pdf | |
![]() | LR48082A | LR48082A N/A DIP | LR48082A.pdf | |
![]() | MCR03EZPFX5601^ | MCR03EZPFX5601^ Rohm SMD or Through Hole | MCR03EZPFX5601^.pdf | |
![]() | CXP5078H-038Q | CXP5078H-038Q SONY SMD or Through Hole | CXP5078H-038Q.pdf | |
![]() | 5SNS0075W120000 | 5SNS0075W120000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5SNS0075W120000.pdf | |
![]() | TPA6011A4PWRG4 | TPA6011A4PWRG4 TI l | TPA6011A4PWRG4.pdf | |
![]() | OPA233TPA | OPA233TPA BB DIP | OPA233TPA.pdf | |
![]() | CC1210X105K3OER | CC1210X105K3OER COMPOSTAR SMD | CC1210X105K3OER.pdf | |
![]() | FZ120012KF4 | FZ120012KF4 ORIGINAL SMD or Through Hole | FZ120012KF4.pdf |