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ON Semiconductor NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G
제조업체 부품 번호
NTJD5121NT2G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
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내부 부품 번호EIS-NTJD5121NT2G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NTJD5121N, NVJD5121N
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C295mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.6옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.9nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds26pF @ 20V
전력 - 최대250mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름NTJD5121NT2G-ND
NTJD5121NT2GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NTJD5121NT2G
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