창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTF3055-100T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTF3055-100 | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet MSL Updated 2/April/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Expansion 24/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1553 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 455pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223(TO-261) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | NTF3055-100T1GOS NTF3055-100T1GOS-ND NTF3055-100T1GOSTR NTF3055100T1G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTF3055-100T1G | |
| 관련 링크 | NTF3055-, NTF3055-100T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | XP100100K-01 | XP100100K-01 LAX SMD or Through Hole | XP100100K-01.pdf | |
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![]() | 25/470 8*12 | 25/470 8*12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 25/470 8*12.pdf | |
![]() | 1SS315 TEL:82766440 | 1SS315 TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS315 TEL:82766440.pdf | |
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