창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTDV20N06LT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 48m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 990pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.36W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTDV20N06LT4G | |
| 관련 링크 | NTDV20N, NTDV20N06LT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GP2M009A090NG | MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN | GP2M009A090NG.pdf | |
![]() | ERJ-PA3D22R6V | RES SMD 22.6 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D22R6V.pdf | |
![]() | ERJ-S12J161U | RES SMD 160 OHM 5% 3/4W 1812 | ERJ-S12J161U.pdf | |
![]() | TNPW1206383KBETA | RES SMD 383K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206383KBETA.pdf | |
![]() | CPR053R900KE14 | RES 3.9 OHM 5W 10% RADIAL | CPR053R900KE14.pdf | |
![]() | LM6165WG-QMLV | LM6165WG-QMLV NSC CERPACK-10 | LM6165WG-QMLV.pdf | |
![]() | MV60539MP8_Q | MV60539MP8_Q FAIRCHILD ROHS | MV60539MP8_Q.pdf | |
![]() | HD6437020C40X | HD6437020C40X HITACHI QFP | HD6437020C40X.pdf | |
![]() | GRM033R60J224ME1 | GRM033R60J224ME1 Murata SMD or Through Hole | GRM033R60J224ME1.pdf | |
![]() | 67.668MHZ | 67.668MHZ MOT SMD or Through Hole | 67.668MHZ.pdf | |
![]() | 5162BMM | 5162BMM N/A 10MSOP | 5162BMM.pdf |