창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD6414ANT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD6414AN | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 37m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD6414ANT4G-ND NTD6414ANT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTD6414ANT4G | |
관련 링크 | NTD6414, NTD6414ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C-85X | 1.5H Unshielded Wirewound Inductor 10mA 70 Ohm Nonstandard | C-85X.pdf | |
![]() | 54109J | 54109J TI DIP | 54109J.pdf | |
![]() | S82438FXSZ969 | S82438FXSZ969 Intel SOP | S82438FXSZ969.pdf | |
![]() | VT82C98MVP | VT82C98MVP VIA BGA3535 | VT82C98MVP.pdf | |
![]() | FX339 | FX339 CML SMD or Through Hole | FX339.pdf | |
![]() | AA03-P030VA1-R6000 | AA03-P030VA1-R6000 JAE Connector | AA03-P030VA1-R6000.pdf | |
![]() | LL1608-F2N2S 2.2N-0603 | LL1608-F2N2S 2.2N-0603 TOKO SMD or Through Hole | LL1608-F2N2S 2.2N-0603.pdf | |
![]() | 1206N221J501NT | 1206N221J501NT WALSIN SMD | 1206N221J501NT.pdf | |
![]() | XC2V1500-4BG575 | XC2V1500-4BG575 XILINX BGA | XC2V1500-4BG575.pdf | |
![]() | 4308M-101-151LF | 4308M-101-151LF BOURNS DIP | 4308M-101-151LF.pdf | |
![]() | EUP3406-1.8V | EUP3406-1.8V DC/DC SOT23-5 | EUP3406-1.8V.pdf | |
![]() | FMW13 NOPB | FMW13 NOPB ROHM SOT163 | FMW13 NOPB.pdf |