창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD5867NLT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD5867NL | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 39m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 675pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD5867NLT4G-ND NTD5867NLT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTD5867NLT4G | |
관련 링크 | NTD5867, NTD5867NLT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | JCX-25E | FUSE CARTRIDGE NON STD | JCX-25E.pdf | |
![]() | SMAJ58AE3/TR13 | TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMAJ | SMAJ58AE3/TR13.pdf | |
![]() | SIT5000AI-2E-33E0-25.000000X | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT5000AI-2E-33E0-25.000000X.pdf | |
![]() | PG108R | PG108R PANJIT DO-41 | PG108R.pdf | |
![]() | PI3USB10LP-A | PI3USB10LP-A PERICOM UQFN-10 | PI3USB10LP-A.pdf | |
![]() | 3DB | 3DB J SMD or Through Hole | 3DB.pdf | |
![]() | GA5131-116 | GA5131-116 GROSSFIELDLTD SMD or Through Hole | GA5131-116.pdf | |
![]() | PM25LV040-100-SCE | PM25LV040-100-SCE PM SOP8 | PM25LV040-100-SCE.pdf | |
![]() | 591-2401-814 | 591-2401-814 DIALIGHT SMD or Through Hole | 591-2401-814.pdf | |
![]() | PPC750L-GB500B | PPC750L-GB500B IBM BGA | PPC750L-GB500B.pdf | |
![]() | MCP4341-104E/ST | MCP4341-104E/ST MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP4341-104E/ST.pdf | |
![]() | SMA02070C6802F2200 | SMA02070C6802F2200 VISHAY SMD or Through Hole | SMA02070C6802F2200.pdf |