창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD5865NLT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD5865NL | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD5865NLT4G-ND NTD5865NLT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTD5865NLT4G | |
관련 링크 | NTD5865, NTD5865NLT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
DDTC123EUA-7-F | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 | DDTC123EUA-7-F.pdf | ||
MP1-1E-1Q-1Q-1W-1Y-4LL-NNE-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP1-1E-1Q-1Q-1W-1Y-4LL-NNE-00.pdf | ||
4501-114M | 10µH Shielded Toroidal Inductor 2.5A 30 mOhm Max Nonstandard | 4501-114M.pdf | ||
M511000A70R | M511000A70R OKI PDIP | M511000A70R.pdf | ||
TD210N18KOF | TD210N18KOF EUPEC MODULE | TD210N18KOF.pdf | ||
59-153675-01 | 59-153675-01 JINGWAN SMD | 59-153675-01.pdf | ||
550-0504-F | 550-0504-F DIALIGHT SMD or Through Hole | 550-0504-F.pdf | ||
HIP092I | HIP092I INTERSIL QFN | HIP092I.pdf | ||
TL431ACZTA | TL431ACZTA ST TO-92 | TL431ACZTA.pdf | ||
CL-SH7640-120SC | CL-SH7640-120SC CIRRUS QQ- | CL-SH7640-120SC.pdf | ||
TXC-02301-NIPL | TXC-02301-NIPL ORIGINAL PLCC | TXC-02301-NIPL.pdf |