창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTD24N06T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTD24N06 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014 Wafer Fab Expansion 24/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.36W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NTD24N06T4GOS NTD24N06T4GOS-ND NTD24N06T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTD24N06T4G | |
관련 링크 | NTD24N, NTD24N06T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602BI-13-33E-40.000000D | OSC XO 3.3V 40MHZ OE | SIT1602BI-13-33E-40.000000D.pdf | |
![]() | BCN4D111JATE | BCN4D111JATE TAI 4(0805) | BCN4D111JATE.pdf | |
![]() | LTQD | LTQD LT MSOP-10 | LTQD.pdf | |
![]() | A5-64/32V10VC | A5-64/32V10VC ORIGINAL SMD or Through Hole | A5-64/32V10VC.pdf | |
![]() | 66168-009 | 66168-009 BERG ORIGINAL | 66168-009.pdf | |
![]() | TCA3227G | TCA3227G INFINEON BULKSOP | TCA3227G.pdf | |
![]() | PBSS4350S | PBSS4350S PHILIPS TO-92 | PBSS4350S.pdf | |
![]() | XC95108TM84AEM | XC95108TM84AEM XILINX PLCC | XC95108TM84AEM.pdf | |
![]() | P1C16C54-RC | P1C16C54-RC PIC SOP18 | P1C16C54-RC.pdf | |
![]() | K2322 | K2322 Renesas TO-263 | K2322.pdf | |
![]() | HI12-1A75 | HI12-1A75 MEDER SMD or Through Hole | HI12-1A75.pdf |