창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTBV5605T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NTB(V)5605(P) | |
PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 8.5A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 88W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NTBV5605T4G | |
관련 링크 | NTBV56, NTBV5605T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
128LBB250M2EF | 1200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 207.23 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C | 128LBB250M2EF.pdf | ||
CRGV1206F196K | RES SMD 196K OHM 1% 1/4W 1206 | CRGV1206F196K.pdf | ||
215REDAKA12F X600 | 215REDAKA12F X600 ATI BGA | 215REDAKA12F X600.pdf | ||
40PT08B | 40PT08B NELL TO-218 | 40PT08B.pdf | ||
VESD05A6A-H | VESD05A6A-H VISHAY SMD or Through Hole | VESD05A6A-H.pdf | ||
R5F64175DFB#U0 | R5F64175DFB#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F64175DFB#U0.pdf | ||
SDE2506A2 | SDE2506A2 SIEMENS DIP8 | SDE2506A2.pdf | ||
DRV103U/2K5 | DRV103U/2K5 TI SOP-8 | DRV103U/2K5.pdf | ||
DG440C | DG440C VISHAY SOP-8 | DG440C.pdf | ||
QM2901A-2D1 | QM2901A-2D1 AMD DIP-40 | QM2901A-2D1.pdf | ||
SN-A100B-100VAC | SN-A100B-100VAC ORIGINAL SMD or Through Hole | SN-A100B-100VAC.pdf | ||
CS4954-CQ-EP | CS4954-CQ-EP CIRRUS QFP | CS4954-CQ-EP.pdf |