창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTB6413ANT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NTB,NTP6413AN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 42A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NTB6413ANT4G-ND NTB6413ANT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTB6413ANT4G | |
| 관련 링크 | NTB6413, NTB6413ANT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMG6.3VB393M25DLL | 39000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 40 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | SMG6.3VB393M25DLL.pdf | |
![]() | RC0603F1240CS | RES SMD 124 OHM 1% 1/20W 0201 | RC0603F1240CS.pdf | |
![]() | M3101 B1 | M3101 B1 ALI TQFP | M3101 B1.pdf | |
![]() | LTM200KT01 | LTM200KT01 SAMSUNG SMD or Through Hole | LTM200KT01.pdf | |
![]() | LE82BLP QP29 ES | LE82BLP QP29 ES INTEL BGA | LE82BLP QP29 ES.pdf | |
![]() | 74HCUO4DB | 74HCUO4DB PHILIPS SSOP | 74HCUO4DB.pdf | |
![]() | 2SK2655-01R | 2SK2655-01R FUJI TO-3P | 2SK2655-01R.pdf | |
![]() | 9300240307 | 9300240307 HARTING SMD or Through Hole | 9300240307.pdf | |
![]() | 130MT80K | 130MT80K IR SMD or Through Hole | 130MT80K.pdf | |
![]() | 0428192212+ | 0428192212+ MOLEX SMD or Through Hole | 0428192212+.pdf | |
![]() | MCD56-18io1B/MCD56-18i08B | MCD56-18io1B/MCD56-18i08B IXYS TO-240AA | MCD56-18io1B/MCD56-18i08B.pdf | |
![]() | KTB1367V-Y-U | KTB1367V-Y-U KEC SMD or Through Hole | KTB1367V-Y-U.pdf |