창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVMUN5331DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5331DW1, NSBC123EPDXV6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVMUN5331DW1T1G | |
| 관련 링크 | NSVMUN533, NSVMUN5331DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECQ-E6563JFW | 0.056µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.213" W (18.50mm x 5.40mm) | ECQ-E6563JFW.pdf | |
![]() | 0451008.NRL | FUSE BRD MNT 8A 125VAC/VDC 2SMD | 0451008.NRL.pdf | |
![]() | ZXT14P40DXTA | TRANS PNP 40V 4A 8-MSOP | ZXT14P40DXTA.pdf | |
![]() | SRR1240-120M | 12µH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 38 mOhm Max Nonstandard | SRR1240-120M.pdf | |
![]() | ERA-6AEB5362V | RES SMD 53.6K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB5362V.pdf | |
![]() | PE2512DKE070R015L | RES SMD 0.015 OHM 0.5% 1W 2512 | PE2512DKE070R015L.pdf | |
![]() | RT1206BRB0751KL | RES SMD 51K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRB0751KL.pdf | |
![]() | Y01101M00000S9L | RES 1M OHM 2.5W 0.001% AXIAL | Y01101M00000S9L.pdf | |
![]() | 64620P | 64620P MIT DIP64 | 64620P.pdf | |
![]() | HRM-JCAP | HRM-JCAP HRS SMD or Through Hole | HRM-JCAP.pdf | |
![]() | LFXP10E3FN256C | LFXP10E3FN256C LATTICE BGA | LFXP10E3FN256C.pdf |