창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVMUN5215DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5215DW1, NSBC114TDxx | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVMUN5215DW1T1G | |
| 관련 링크 | NSVMUN521, NSVMUN5215DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MLG1005SR36HTD25 | 360nH Unshielded Multilayer Inductor 50mA 7.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005SR36HTD25.pdf | |
![]() | 0805100J | 0805100J ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805100J.pdf | |
![]() | TLN119F | TLN119F TOSHIBA 5Q3 | TLN119F.pdf | |
![]() | RC0603JR-07 2K7L | RC0603JR-07 2K7L YAGEO SMD or Through Hole | RC0603JR-07 2K7L.pdf | |
![]() | AO-XM03 | AO-XM03 aoduo SMD or Through Hole | AO-XM03.pdf | |
![]() | G2RL-2A-12V | G2RL-2A-12V OMRON SMD or Through Hole | G2RL-2A-12V.pdf | |
![]() | TPSC476K016K0110 | TPSC476K016K0110 AVX 6032-28 | TPSC476K016K0110.pdf | |
![]() | 15424638 | 15424638 DELPHI con | 15424638.pdf | |
![]() | LITE3.3/1.5 | LITE3.3/1.5 ORIGINAL SMD | LITE3.3/1.5.pdf | |
![]() | TX24-120R-LT-H1 | TX24-120R-LT-H1 JAE SMD or Through Hole | TX24-120R-LT-H1.pdf | |
![]() | NBP160808T-100Y-N | NBP160808T-100Y-N CHILISIN SMD | NBP160808T-100Y-N.pdf | |
![]() | G6S-Z-5/12/24 | G6S-Z-5/12/24 OMRON DIP | G6S-Z-5/12/24.pdf |