홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSVMMBT5087LT3G

ON Semiconductor NSVMMBT5087LT3G

NSVMMBT5087LT3G
제조업체 부품 번호
NSVMMBT5087LT3G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSVMMBT5087LT3G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 65.23550
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSVMMBT5087LT3G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSVMMBT5087LT3G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSVMMBT5087LT3G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSVMMBT5087LT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSVMMBT5087LT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSVMMBT5087LT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MMBT5087LT
PCN 설계/사양Material/Assembly Site Addition 22/Oct/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)50mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)50nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce250 @ 100µA, 5V
전력 - 최대225mW
주파수 - 트랜지션40MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 10,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSVMMBT5087LT3G
관련 링크NSVMMBT50, NSVMMBT5087LT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSVMMBT5087LT3G 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 25MHZ OE SIT1602AC-22-33E-25.00000D.pdf
RES SMD 1.91KOHM 0.25% 3/4W 2512 RT2512CKB071K91L.pdf
6650G ORIGINAL SMD8 6650G.pdf
TCA4311DR TI SOP8 TCA4311DR.pdf
89P26 ORIGINAL SMD or Through Hole 89P26.pdf
44432-1202 MOLEX SMD or Through Hole 44432-1202.pdf
LMK04001BISQX/NOPB NSC LLP48 LMK04001BISQX/NOPB.pdf
LB1001 SANYO CAN8 LB1001.pdf
536510-3 AMP/TYCO AMP 536510-3.pdf
PHX8N20E PHL TO-220 PHX8N20E.pdf
0402 NPO 1R0 C 500NT TASUND SMD or Through Hole 0402 NPO 1R0 C 500NT.pdf
54F299/BEAJC MOT DIP 54F299/BEAJC.pdf