홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSVDTC123EM3T5G

ON Semiconductor NSVDTC123EM3T5G

NSVDTC123EM3T5G
제조업체 부품 번호
NSVDTC123EM3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN 50V 0.1A SOT723
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSVDTC123EM3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 50.82931
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSVDTC123EM3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSVDTC123EM3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSVDTC123EM3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSVDTC123EM3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSVDTC123EM3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSVDTC123EM3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)2.2k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce8 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대260mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지SOT-723
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSVDTC123EM3T5G
관련 링크NSVDTC123, NSVDTC123EM3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSVDTC123EM3T5G 의 관련 제품
0.043µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) MKP385343063JC02Z0.pdf
Red 624nm LED Indication - Discrete 2V Radial EALP05RDBRA1.pdf
LM2575H15/NOPB NSC original LM2575H15/NOPB.pdf
VL7C116-QC VLSI PLCC68 VL7C116-QC.pdf
LMTZJ6.2B LRC DO-35 LMTZJ6.2B.pdf
AND0025RM7Q3(AWT61 ANADIGICS QFN AND0025RM7Q3(AWT61.pdf
A5358CLWTR ALLEGRO SOP A5358CLWTR.pdf
AD8031ART NOPB AD SOT153 AD8031ART NOPB.pdf
95060Y PITTWAY DIP8 95060Y.pdf
SN54L386J TI DIP SN54L386J.pdf
WB603 ORIGINAL SMD or Through Hole WB603.pdf
SD14550DX-102 DDC CDIP SD14550DX-102.pdf