창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVDTA143ZET1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx133, MMUN2133L, DTA143Zxx, NSBA143ZF3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVDTA143ZET1G | |
| 관련 링크 | NSVDTA14, NSVDTA143ZET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IMC1210EBR82J | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 670 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210EBR82J.pdf | |
![]() | RN73C1E4K99BTD | RES SMD 4.99KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E4K99BTD.pdf | |
![]() | RNF14BAE193R | RES 193 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE193R.pdf | |
![]() | 0805B221K101NT | 0805B221K101NT ORIGINAL SMD | 0805B221K101NT.pdf | |
![]() | LM431SACMF-NL | LM431SACMF-NL FAIRCHILD SOT23 | LM431SACMF-NL.pdf | |
![]() | S1K02562M00A20B | S1K02562M00A20B EPSON SMD or Through Hole | S1K02562M00A20B.pdf | |
![]() | S5G5127B01-D0B0 | S5G5127B01-D0B0 ORIGINAL SMD or Through Hole | S5G5127B01-D0B0.pdf | |
![]() | BA78M08FP-E2 | BA78M08FP-E2 ROHM SOT-252 | BA78M08FP-E2.pdf | |
![]() | JS12F-K | JS12F-K ORIGINAL DIP | JS12F-K.pdf | |
![]() | LM311M/HALF | LM311M/HALF NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LM311M/HALF.pdf | |
![]() | LNK362P | LNK362P POWER/ DIP-7 | LNK362P.pdf | |
![]() | LCO406FC05C-T75-2 | LCO406FC05C-T75-2 PROTEK SMD or Through Hole | LCO406FC05C-T75-2.pdf |