창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVDAP222T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
공급 장치 패키지 | SC-75, SOT-416 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSVDAP222T1G | |
관련 링크 | NSVDAP2, NSVDAP222T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | FDB8860_F085 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | FDB8860_F085.pdf | |
![]() | RT0603CRD07270KL | RES SMD 270KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD07270KL.pdf | |
![]() | EN303B2 | EN303B2 ENVARA QFN | EN303B2.pdf | |
![]() | KAA00B209M-TGSV | KAA00B209M-TGSV SAMSUNG BGA10.512 | KAA00B209M-TGSV.pdf | |
![]() | MN102L35GJH | MN102L35GJH Nat DIP | MN102L35GJH.pdf | |
![]() | R3430 | R3430 MICROSEMI SMD or Through Hole | R3430.pdf | |
![]() | 3.9K/0603 | 3.9K/0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.9K/0603.pdf | |
![]() | UTG61412P | UTG61412P BURNDYELECTRICAL ORIGINAL | UTG61412P.pdf | |
![]() | M7-1-104J | M7-1-104J BITECHNOLOGY SMD or Through Hole | M7-1-104J.pdf | |
![]() | BCM3220 | BCM3220 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM3220.pdf | |
![]() | B72580V250K62 | B72580V250K62 EPCOS SMD or Through Hole | B72580V250K62.pdf | |
![]() | D151802-5120 | D151802-5120 ORIGINAL QFP | D151802-5120.pdf |