창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVBC124EDXV6T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN5212DW1, NSBC124EDxx | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Transfer 06/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSVBC124EDXV6T1G | |
관련 링크 | NSVBC124E, NSVBC124EDXV6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
GRM31A7U2J150JW31D | 15pF 630V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A7U2J150JW31D.pdf | ||
402F20012ILT | 20MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20012ILT.pdf | ||
Y00143K40000T9L | RES 3.4K OHM 1/5W 0.01% AXIAL | Y00143K40000T9L.pdf | ||
R932172 | R932172 REI Call | R932172.pdf | ||
2SD1466 | 2SD1466 HITACHI TO-3P | 2SD1466.pdf | ||
AAT1141IGV-1.3-T1 | AAT1141IGV-1.3-T1 ANALOGIC SOT23-5 | AAT1141IGV-1.3-T1.pdf | ||
AS244D | AS244D AS SOP30 | AS244D.pdf | ||
856273 | 856273 SAWTEK SMD | 856273.pdf | ||
SRE-09VDC-SL-2A | SRE-09VDC-SL-2A SONGLE DIP | SRE-09VDC-SL-2A.pdf | ||
TESVA1A105M1-8L | TESVA1A105M1-8L NEC 1206 | TESVA1A105M1-8L.pdf | ||
TPS2110PWPR | TPS2110PWPR TI SMD or Through Hole | TPS2110PWPR.pdf | ||
NCP5386BMN | NCP5386BMN FSC SMD or Through Hole | NCP5386BMN.pdf |