창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSVBAT54SWT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NSV/BAT54SWT1G Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 100A | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 5ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 25V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NSVBAT54SWT1G-ND NSVBAT54SWT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSVBAT54SWT1G | |
| 관련 링크 | NSVBAT5, NSVBAT54SWT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-100-20-28AX-TR | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-100-20-28AX-TR.pdf | |
![]() | 9B-14.31818MBBK-B | 14.31818MHz ±50ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-14.31818MBBK-B.pdf | |
![]() | 74AC11240NT | 74AC11240NT TI PDIP-24 | 74AC11240NT.pdf | |
![]() | CD4516BP | CD4516BP HD DIP16 | CD4516BP .pdf | |
![]() | 39SF512-90-4I-WH | 39SF512-90-4I-WH SST TSOP | 39SF512-90-4I-WH.pdf | |
![]() | GR216R71H103KA01D | GR216R71H103KA01D MURATA SMD or Through Hole | GR216R71H103KA01D.pdf | |
![]() | B32651A7332J000 | B32651A7332J000 EPCOS DIP | B32651A7332J000.pdf | |
![]() | 1145IB | 1145IB INTERSIL SOP8 | 1145IB.pdf | |
![]() | MDD172-12N1B | MDD172-12N1B IXYS SMD or Through Hole | MDD172-12N1B.pdf | |
![]() | MR27V3202F-8R | MR27V3202F-8R OKI SSOP | MR27V3202F-8R.pdf | |
![]() | V62C51256L-35PI | V62C51256L-35PI MOSEL DIP-28 | V62C51256L-35PI.pdf |