창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSVBAS21SLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAS21SLT1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 250V | |
전류 -평균 정류(Io) | 225mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 200V | |
정전 용량 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSVBAS21SLT1G | |
관련 링크 | NSVBAS2, NSVBAS21SLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | HFE221MBFEF0KR | 220pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HFE221MBFEF0KR.pdf | |
![]() | RCH108NP-2R7M | 2.7µH Unshielded Inductor 7.2A 9.6 mOhm Max Radial | RCH108NP-2R7M.pdf | |
![]() | 88256575 | On-Delay Time Delay Relay DPDT (2 Form C) 1 Min ~ 1 Hr Delay 8A @ 250VAC Panel Mount | 88256575.pdf | |
![]() | 4.7UF/450V 10*17 | 4.7UF/450V 10*17 Cheng SMD or Through Hole | 4.7UF/450V 10*17.pdf | |
![]() | 36*46*4 | 36*46*4 JHS SMD or Through Hole | 36*46*4.pdf | |
![]() | RLZ2.7BTE-11 | RLZ2.7BTE-11 ROHM SMD or Through Hole | RLZ2.7BTE-11.pdf | |
![]() | 91857AGLFT | 91857AGLFT IDT SMD or Through Hole | 91857AGLFT.pdf | |
![]() | 81N29G-R-AB3-E-R | 81N29G-R-AB3-E-R UTC SOT89-3 | 81N29G-R-AB3-E-R.pdf | |
![]() | DS8880 | DS8880 NS DIP16 | DS8880.pdf | |
![]() | L119YGW | L119YGW ORIGINAL SMD or Through Hole | L119YGW.pdf | |
![]() | MDR630E-T/630MHZ | MDR630E-T/630MHZ SOSHIN 3 2.5MM | MDR630E-T/630MHZ.pdf | |
![]() | 74S189N | 74S189N TEXAS DIP-16L | 74S189N.pdf |