홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NST3904F3T5G

ON Semiconductor NST3904F3T5G

NST3904F3T5G
제조업체 부품 번호
NST3904F3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 40V 0.2A SOT1123
데이터 시트 다운로드
다운로드
NST3904F3T5G 가격 및 조달

가능 수량

24550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 49.18358
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NST3904F3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NST3904F3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NST3904F3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NST3904F3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NST3904F3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NST3904F3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NST3904F3T5G
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)200mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)40V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
전력 - 최대290mW
주파수 - 트랜지션200MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1123
공급 장치 패키지SOT-1123
표준 포장 8,000
다른 이름NST3904F3T5G-ND
NST3904F3T5GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NST3904F3T5G
관련 링크NST3904, NST3904F3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NST3904F3T5G 의 관련 제품
3.3µH Shielded Wirewound Inductor 840mA 228 mOhm Max Nonstandard VLS2012ET-3R3M.pdf
RES MO 1W 953 OHM 1% AXIAL RSMF1FB953R.pdf
CTC07-600 ORIGINAL DIP CTC07-600.pdf
TC140G44AY TOS CPA TC140G44AY.pdf
1DDD355BB-M02 TEL:82766440 DUREL SMD or Through Hole 1DDD355BB-M02 TEL:82766440.pdf
KSHJ0011ZZ N/A SMD or Through Hole KSHJ0011ZZ.pdf
ELC08D271E PANASONIC DIP ELC08D271E.pdf
2SA1102. SANKEN TO-3P 2SA1102..pdf
LXY35VB56RM6X11LL UNITED DIP LXY35VB56RM6X11LL.pdf
GRM42-6C0G221K0508L MURATA SMD or Through Hole GRM42-6C0G221K0508L.pdf
ELXJ100ELL152MJ30S NIPPONCHEMI-CON DIP-2 ELXJ100ELL152MJ30S.pdf