창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSS35200MR6T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSS35200MR6T1G | |
제품 교육 모듈 | Low Vce(sat) BJT Power Savings | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 35V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V | |
전력 - 최대 | 625mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSS35200MR6T1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSS35200MR6T1G | |
관련 링크 | NSS35200, NSS35200MR6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D201FLAAJ | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D201FLAAJ.pdf | |
![]() | SH8M4TB1 | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC | SH8M4TB1.pdf | |
![]() | PS2811-1-M-A | Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 1 Channel 4-SSOP | PS2811-1-M-A.pdf | |
![]() | 16ST8522(M) | 16ST8522(M) BOTHHAND SOP16 | 16ST8522(M).pdf | |
![]() | CD8011 | CD8011 CHIPSHINE SOT23-5 | CD8011.pdf | |
![]() | K1418 | K1418 ORIGINAL TO220 | K1418.pdf | |
![]() | EP1017 | EP1017 MENERPRO DIP | EP1017.pdf | |
![]() | BT151-800B | BT151-800B ORIGINAL SMD or Through Hole | BT151-800B.pdf | |
![]() | JC100H1 | JC100H1 Lucent SMD or Through Hole | JC100H1.pdf | |
![]() | LH53873J | LH53873J SHARP DIP32 | LH53873J.pdf | |
![]() | TL2272A | TL2272A TL SMD or Through Hole | TL2272A.pdf |