창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSS20200LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NSS20200LT1G | |
| 제품 교육 모듈 | Low Vce(sat) BJT Power Savings | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 180mV @ 200mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | NSS20200LT1G-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSS20200LT1G | |
| 관련 링크 | NSS2020, NSS20200LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AZ23C5V6-7-F TEL:8 | AZ23C5V6-7-F TEL:8 DIODES SOT23 | AZ23C5V6-7-F TEL:8.pdf | |
![]() | RIC-019-129 | RIC-019-129 ORIGINAL DIP8 | RIC-019-129.pdf | |
![]() | M28F231-100N1 | M28F231-100N1 MEMORY SMD | M28F231-100N1.pdf | |
![]() | BTA225-800E | BTA225-800E PHIL TO-220 | BTA225-800E.pdf | |
![]() | ACE50928BN+H | ACE50928BN+H ACE SMD or Through Hole | ACE50928BN+H.pdf | |
![]() | 1MBI600NN-060-03 A50L-0001-0295#NS | 1MBI600NN-060-03 A50L-0001-0295#NS FUJI SMD or Through Hole | 1MBI600NN-060-03 A50L-0001-0295#NS.pdf | |
![]() | MA2XV334GL | MA2XV334GL ORIGINAL SMD or Through Hole | MA2XV334GL.pdf | |
![]() | LTC3200ES6-5#TRMPBFCT | LTC3200ES6-5#TRMPBFCT LINFAR SMD or Through Hole | LTC3200ES6-5#TRMPBFCT.pdf | |
![]() | ABM3-114-12.000MHZ-T | ABM3-114-12.000MHZ-T abracon SMD or Through Hole | ABM3-114-12.000MHZ-T.pdf |