홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSS1C200MZ4T1G

ON Semiconductor NSS1C200MZ4T1G

NSS1C200MZ4T1G
제조업체 부품 번호
NSS1C200MZ4T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 100V 2A SOT223
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSS1C200MZ4T1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 242.25667
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSS1C200MZ4T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSS1C200MZ4T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSS1C200MZ4T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSS1C200MZ4T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSS1C200MZ4T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSS1C200MZ4T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSS1C200MZ4
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
PCN 포장Covering Tape/Material Chg 20/May/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)2A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic220mV @ 200mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V
전력 - 최대800mW
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지SOT-223
표준 포장 1,000
다른 이름NSS1C200MZ4T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSS1C200MZ4T1G
관련 링크NSS1C200, NSS1C200MZ4T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSS1C200MZ4T1G 의 관련 제품
0.022µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.224" L x 0.197" W(5.70mm x 5.00mm) 2220CC223MAT1A.pdf
AM29845AJC AMD PLCC28 AM29845AJC.pdf
SPC5606SF2VLU6 FREESCALE SMD or Through Hole SPC5606SF2VLU6.pdf
STA458A SANKEN SIP STA458A.pdf
TDFM2A-1920D-10=P ORIGINAL SMD or Through Hole TDFM2A-1920D-10=P.pdf
LTC2914IGN-2 LINEAR SSOP LTC2914IGN-2.pdf
N6L50T0C-105 PIHER SMD or Through Hole N6L50T0C-105.pdf
LL1005-FHL18NG ORIGINAL SMD or Through Hole LL1005-FHL18NG.pdf
FMA3051 RFMD NLU FMA3051.pdf
12-215UYC EVERLIGHT SMD-2 12-215UYC.pdf
MAX1085ESA+T MAX SOP8 MAX1085ESA+T.pdf
MM54C923-MIL NS DIP MM54C923-MIL.pdf