창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSM80101MT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSM80101MT1G | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN + 다이오드(절연) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 1V | |
전력 - 최대 | 400mW | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | SC-74 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSM80101MT1G | |
관련 링크 | NSM8010, NSM80101MT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
MAL205352152E3 | 1500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - 5 Lead 110 mOhm @ 100Hz 12000 Hrs @ 85°C | MAL205352152E3.pdf | ||
CL31C222JHHNNNE | 2200pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C222JHHNNNE.pdf | ||
GRM1556T1H2R3CD01D | 2.3pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556T1H2R3CD01D.pdf | ||
TNPW040212K0BEED | RES SMD 12K OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040212K0BEED.pdf | ||
ERX-2SJ3R3 | RES 3.3 OHM 2W 5% AXIAL | ERX-2SJ3R3.pdf | ||
25YXG47MEFCCE5*11 | 25YXG47MEFCCE5*11 RUBYCON SMD or Through Hole | 25YXG47MEFCCE5*11.pdf | ||
1N983D-1 | 1N983D-1 MICROSEMI SMD | 1N983D-1.pdf | ||
7MBR35SB120-70 | 7MBR35SB120-70 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR35SB120-70.pdf | ||
M57793A | M57793A MITSUBISHI Module | M57793A.pdf | ||
BQ24120EVM-001 | BQ24120EVM-001 TexasInstruments BOARD | BQ24120EVM-001.pdf | ||
TLV2264IDG4 | TLV2264IDG4 TI SMD or Through Hole | TLV2264IDG4.pdf | ||
M29W800B-100 | M29W800B-100 ORIGINAL TSOP | M29W800B-100.pdf |