홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSBA143TF3T5G

ON Semiconductor NSBA143TF3T5G

NSBA143TF3T5G
제조업체 부품 번호
NSBA143TF3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS DUAL PNP
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBA143TF3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBA143TF3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBA143TF3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBA143TF3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBA143TF3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBA143TF3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBA143TF3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN(2,5)116, MMUN2116L, DTA143Txx
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대254mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1123
공급 장치 패키지SOT-1123
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBA143TF3T5G
관련 링크NSBA143, NSBA143TF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBA143TF3T5G 의 관련 제품
18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) CC0805JRNPO9BN180.pdf
270pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K271K15X7RF5UH5.pdf
22µH Unshielded Wirewound Inductor 740mA 470 mOhm Max Nonstandard SC32B-220.pdf
RES ARRAY 2 RES 21 OHM 0404 AF122-FR-0721RL.pdf
HHY-512H-24IRP HHY SMD or Through Hole HHY-512H-24IRP.pdf
6MCR476MB2TER ORIGINAL SMD or Through Hole 6MCR476MB2TER.pdf
LM171W02 LG SMD or Through Hole LM171W02.pdf
SG3851N SG DIP16 SG3851N.pdf
735-3A-C1 220VAC SONGCHUAN RELAY 735-3A-C1 220VAC.pdf
BZX85C110V ST DO-41 BZX85C110V.pdf
A060B GW-MG MSOP8 A060B.pdf